ПРОГРАММА ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
Разработка технологических процессов и процедур контроля фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Форма обучения: очно, дистанционно
Количество слушателей в группе для дистанционного обучения: 5-12
Количество часов: 36
Категория слушателей
К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее и (или) среднее профессиональное образование.
Курс рекомендован специалистам по разработке производственных технологий в области микро и нано электроники и специалистов в области производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Должность: Специалисты процессов фотолитографии при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем
Планируемые результаты обучения
В результате освоения программы слушатель будет:
Знать:
Цели и способы использования различных типов материалов для процессов фотолитографии;
Требования документации (технологических маршрутов) на контролируемые параметры технологического процесса;
Технологические процессы и процедуры контроля фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем;
Технологические возможности современного (ArF, KrF) оборудования фотолитографии;
Явления дифракции при формировании изображения проекционным оборудованием;
Ограничения, накладываемые на получение элементов с минимальными размерами;
Профили маски и профиль травления на разрабатываемый процесс;
Методы улучшения разрешающей способности RET (OPC, PSM, OAI);
Методы, применяемые для оценки соответствия технологического процесса фотолитографии требованиям документации;
Типы и назначение материалов к технологическому процессу фотолитографии;
Основные этапы разработки технологического процесса фотолитографии;
Методы получения и обработки экспериментальных данных для построения процессного окна технологического процесса;
Этапы процесса фотолитографии;
Методы выполнения математического моделирования процессов фотолитографии с использованием специализированного ПО;
Подходы к моделированию формирования фоторезистивной маски в вычислительной литографии;
Принцип подбора оптимальных толщин слоев литографического стека;
Технологические параметры процессов фотолитографии и их значение для интеграции процесса фотолитографии в технологический маршрут;
Расчёт контура ФРМ для полноразмерной топологии изделия с использованием «компактных» моделей;
Этапы «полного» моделирования формирования фоторезистивной маски на основе физико-химических принципов;
Методы и типы метрологического оборудования, применяемые для контроля параметров операций фотолитографии;
Процедуры контроля технологических процессов фотолитографии;
Контролируемые параметры ФР маски;
Типы контрольных карт, используемых для контроля продукции.
Уметь:
Выбирать требуемые материалы для операций процесса фотолитографии в соответствии с ТЗ на разработку процесса;
Оценивать целесообразность применения методов улучшения разрешающей способности (RET) для разрабатываемого процесса;
Анализировать полученную экспериментально и с помощью математического моделирования информацию, готовить технический отчёт по разработке технологического процесса;
Проводить экспериментальное исследование процессного окна разрабатываемого процесса;
Проводить математическое моделирование разрабатываемого процесса;
Анализировать полученную экспериментально и с помощью математического моделирования информацию, готовить технический отчёт по разработке технологического процесса;
Осуществлять контроль параметров процессов фотолитографии измерениями линейных размеров, совмещения и внешнего вида;
Разрабатывать планы контроля продукции
Не нашли нужный курс? Вернитесь в главное меню или оставьте заявку на обратный звонок