Категория слушателей

К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее и (или) среднее профессиональное образование.

Курс рекомендован специалистам по разработке производственных технологий в области микро и нано электроники и специалистов в области производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Должность: Специалисты процессов фотолитографии при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем

Планируемые результаты обучения

В результате освоения программы слушатель будет:

Знать:

Цели и способы использования различных типов материалов для процессов фотолитографии;

Требования документации (технологических маршрутов) на контролируемые параметры технологического процесса;

Технологические процессы и процедуры контроля фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем;

Технологические возможности современного (ArF, KrF) оборудования фотолитографии;

Явления дифракции при формировании изображения проекционным оборудованием;

Ограничения, накладываемые на получение элементов с минимальными размерами;

Профили маски и профиль травления на разрабатываемый процесс;

Методы улучшения разрешающей способности RET (OPC, PSM, OAI);

Методы, применяемые для оценки соответствия технологического процесса фотолитографии требованиям документации;

Типы и назначение материалов к технологическому процессу фотолитографии;

Основные этапы разработки технологического процесса фотолитографии;

Методы получения и обработки экспериментальных данных для построения процессного окна технологического процесса;

Этапы процесса фотолитографии;

Методы выполнения математического моделирования процессов фотолитографии с использованием специализированного ПО;

Подходы к моделированию формирования фоторезистивной маски в вычислительной литографии;

Принцип подбора оптимальных толщин слоев литографического стека;

Технологические параметры процессов фотолитографии и их значение для интеграции процесса фотолитографии в технологический маршрут;

Расчёт контура ФРМ для полноразмерной топологии изделия с использованием «компактных» моделей;

Этапы «полного» моделирования формирования фоторезистивной маски на основе физико-химических принципов;

Методы и типы метрологического оборудования, применяемые для контроля параметров операций фотолитографии;

Процедуры контроля технологических процессов фотолитографии;

Контролируемые параметры ФР маски;

Типы контрольных карт, используемых для контроля продукции.

Уметь:

Выбирать требуемые материалы для операций процесса фотолитографии в соответствии с ТЗ на разработку процесса;

Оценивать целесообразность применения методов улучшения разрешающей способности (RET) для разрабатываемого процесса;

Анализировать полученную экспериментально и с помощью математического моделирования информацию, готовить технический отчёт по разработке технологического процесса;

Проводить экспериментальное исследование процессного окна разрабатываемого процесса;

Проводить математическое моделирование разрабатываемого процесса;

Анализировать полученную экспериментально и с помощью математического моделирования информацию, готовить технический отчёт по разработке технологического процесса;

Осуществлять контроль параметров процессов фотолитографии измерениями линейных размеров, совмещения и внешнего вида;

Разрабатывать планы контроля продукции