Категория слушателей

К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее и (или) среднее профессиональное образование.

Курс рекомендован специалистам по разработке производственных технологий в области микро и нано электроники и специалистов в области производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

- содержание и назначение базовых технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники, назначение процесса планаризации в технологии производства многослойных ИС,

- влияние смежных технологических процессов на процесс ХМП,

- свойства химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации,

- этапы технологического процесса производства изделий микро- и наноэлектроники.

Цель реализации программы

Целью реализации программы является обучение слушателей разрабатывать технологические процессы химико-механической планаризации (ХМП) функциональных слоев кремниевых пластин в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники в соответствии с заданными характеристиками, оценивать эффективность применения новых расходных материалов и оборудования для процессов ХМП в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники в соответствии с техническими требованиями.

Планируемые результаты обучения

В результате освоения программы слушатель будет:

Знать:

v классификацию:

процессов ХМП, применяемых в технологии производства изделий микро- и наноэлектроники;

методов математического моделирования и оптимизации процессов ХМП;

методов статистического контроля параметров технологических процессов химико-механической планаризации;

химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;

процессов химико-механической планаризации, применяемых в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники;

расходных материалов процессов химико-механической планаризации;

процессов ХМП, применяемых в технологии производства наноэлектроники;

v этапы технологического процесса производства изделий микро- и наноэлектроники;

v содержание и назначение базовых технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники;

v требования к оформлению отчетной документации по экспериментальной работе;

v этапы планирования экспериментальной работы и их содержание;

v принцип работы и технические характеристики оборудования для процессов ХМП;

v математические модели удаления материала в процессе ХМП;

v конструктивные особенности оснастки и оборудования для процессов ХМП;

v физические, кинетические параметры и их влияние на процесс ХМП;

v факторы, влияющие на взаимодействие полировальной подушки с кремниевой пластиной;

v перечень и назначение материалов слоя, обрабатываемого в процессе ХМП;

v методы:

измерения характеристик пленок до и после процесса ХМП.

визуализации результатов измерений, полученных после процесса ХМП;

статистической обработки результатов измерений, полученных после процесса химико-механической планаризации;

очистки поверхности кремниевых пластин после процесса ХМП;

контроля состояния оборудования для проведения процессов ХМП;

v классификацию, типы и назначение приборов и оборудования для измерения толщины тонких пленок;

v методику математического расчета значений параметров, полученных по результатам обработки выходных параметров;

v зависимости:

кинетических факторов от параметров процесса ХМП;

параметров процесса ХМП от характеристик оборудования, расходных материалов;

v нормы расходования материалов в технологических процессах ХМП;

v свойства и характеристики расходных материалов процесса ХМП;

v устройство и принцип работы систем:

доставки, подготовки, фильтрации и утилизации суспензии;

доставки химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;

свойства химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;

требования к параметрам исходных кремниевых пластин для процесса химико-механической планаризации и их подготовке;

химические реакции процесса химико-механической планаризации слоёв в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники;

принципы контактного взаимодействия в системе «полировальная подушка-суспензия-пластина» для процессов химико-механической планаризации;

этапы технологического процесса производства изделий наноэлектроники;

содержание и назначение базовых технологических процессов наноэлектроники.

Уметь:

составлять план экспериментальной работы и отчетную документацию по итогам ее проведения;

моделировать результаты процесса химико-механической планаризации;

задавать рабочие параметры и режимы технологического процесса ХМП;

определять методы контроля и контролируемые параметры процесса ХМП;

оценивать и интерпретировать результаты процесса химико-механической планаризации слоев кремниевых пластин;

рассчитывать потребление материалов для обеспечения технологического процесса химико-механической планаризации;

формировать требования к расходным материалам и оборудованию процесса ХМП;

v искать и выбирать расходные материалы и оборудование для осуществления операций химико-механической планаризации;

контролировать и анализировать входные и выходные параметры процесса ХМП.

Иметь навыки:

разработки режимов процесса химико-механической полировки;

проведения экспериментальных работ по подбору и освоению новых расходных материалов и оборудования для процессов химико-механической полировки.

Содержание программы

МДК 1 Методы разработки технологических процессов химико-механической планаризации
Тема 1.1 Теоретические основы применения химико-механической планаризации в производстве современных ИС.
Тема 1.2 Классификация процессов химико-механической планаризации, применяемые в технологии производства наноэлектроники.
Тема 1.3 Методы метрологического контроля и статистического анализа результатов контроля.
Тема 1.4 Основы математического моделирования процессов химико-механической планаризации.
Тема 1.5 Общие правила подготовки сопроводительной документации и планирования экспериментальных работ.
Тема 1.6 Основы безопасной работы на оборудовании и при выполнении операций химико-механической планаризации
Тема 1.7 Методы очистки поверхности кремниевых пластин после процесса ХМП.
МДК 2 Методы исследования новых расходных материалов, применяемых для процессов химико-механической планаризации Тема 2.1 Классификация расходных материалов для процессов ХМП.
Тема 2.2 Оценка применимости новых расходных материалов, к процессам ХМП.
МДК 3 Методы оценки эффективности оборудования для процессов химико-механической планаризации.
Тема 3.1 Классификация современного оборудования для процессов ХМП.
Тема 3.2 Оценка эффективности и производительности оборудования для процессов ХМП.
Тема 3.3 Системы для доставки и распределения суспензии для оборудования процесса ХМП. Практика в модельной ситуации