КЛЮЧЕВЫЕ ПРОЦЕССЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР: ФОРМИРОВАНИЕ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ И ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКАЯ ПОЛИРОВКА ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН
Форма обучения: очно-заочная, дистанционная
Количество слушателей в группе для очно-заочного, дистанционного обучения: 5-12
Количество часов: 72
Категория слушателей
К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее и (или) среднее профессиональное образование.
Курс рекомендован специалистам по разработке производственных технологий в области микро и нано электроники и специалистов в области производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.
- содержание и назначение базовых технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники, назначение процесса планаризации в технологии производства многослойных ИС,
- влияние смежных технологических процессов на процесс ХМП,
- свойства химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации,
- этапы технологического процесса производства изделий микро- и наноэлектроники.
Цель реализации программы
Целью реализации программы является обучение слушателей разрабатывать технологические процессы химико-механической планаризации (ХМП) функциональных слоев кремниевых пластин в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники в соответствии с заданными характеристиками, оценивать эффективность применения новых расходных материалов и оборудования для процессов ХМП в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники в соответствии с техническими требованиями.
Планируемые результаты обучения
В результате освоения программы слушатель будет:
Знать:
v классификацию:
процессов ХМП, применяемых в технологии производства изделий микро- и наноэлектроники;
методов математического моделирования и оптимизации процессов ХМП;
методов статистического контроля параметров технологических процессов химико-механической планаризации;
химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;
процессов химико-механической планаризации, применяемых в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники;
расходных материалов процессов химико-механической планаризации;
процессов ХМП, применяемых в технологии производства наноэлектроники;
v этапы технологического процесса производства изделий микро- и наноэлектроники;
v содержание и назначение базовых технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники;
v требования к оформлению отчетной документации по экспериментальной работе;
v этапы планирования экспериментальной работы и их содержание;
v принцип работы и технические характеристики оборудования для процессов ХМП;
v математические модели удаления материала в процессе ХМП;
v конструктивные особенности оснастки и оборудования для процессов ХМП;
v физические, кинетические параметры и их влияние на процесс ХМП;
v факторы, влияющие на взаимодействие полировальной подушки с кремниевой пластиной;
v перечень и назначение материалов слоя, обрабатываемого в процессе ХМП;
v методы:
измерения характеристик пленок до и после процесса ХМП.
визуализации результатов измерений, полученных после процесса ХМП;
статистической обработки результатов измерений, полученных после процесса химико-механической планаризации;
очистки поверхности кремниевых пластин после процесса ХМП;
контроля состояния оборудования для проведения процессов ХМП;
v классификацию, типы и назначение приборов и оборудования для измерения толщины тонких пленок;
v методику математического расчета значений параметров, полученных по результатам обработки выходных параметров;
v зависимости:
кинетических факторов от параметров процесса ХМП;
параметров процесса ХМП от характеристик оборудования, расходных материалов;
v нормы расходования материалов в технологических процессах ХМП;
v свойства и характеристики расходных материалов процесса ХМП;
v устройство и принцип работы систем:
доставки, подготовки, фильтрации и утилизации суспензии;
доставки химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;
свойства химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;
требования к параметрам исходных кремниевых пластин для процесса химико-механической планаризации и их подготовке;
химические реакции процесса химико-механической планаризации слоёв в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники;
принципы контактного взаимодействия в системе «полировальная подушка-суспензия-пластина» для процессов химико-механической планаризации;
этапы технологического процесса производства изделий наноэлектроники;
содержание и назначение базовых технологических процессов наноэлектроники.
Уметь:
составлять план экспериментальной работы и отчетную документацию по итогам ее проведения;
моделировать результаты процесса химико-механической планаризации;
задавать рабочие параметры и режимы технологического процесса ХМП;
определять методы контроля и контролируемые параметры процесса ХМП;
оценивать и интерпретировать результаты процесса химико-механической планаризации слоев кремниевых пластин;
рассчитывать потребление материалов для обеспечения технологического процесса химико-механической планаризации;
формировать требования к расходным материалам и оборудованию процесса ХМП;
v искать и выбирать расходные материалы и оборудование для осуществления операций химико-механической планаризации;
контролировать и анализировать входные и выходные параметры процесса ХМП.
Иметь навыки:
разработки режимов процесса химико-механической полировки;
проведения экспериментальных работ по подбору и освоению новых расходных материалов и оборудования для процессов химико-механической полировки.
Содержание программы
МДК 1Методы разработки технологических процессов химико-механической планаризации Тема 1.1 Теоретические основы применения химико-механической планаризации в производстве современных ИС. Тема 1.2 Классификация процессов химико-механической планаризации, применяемые в технологии производства наноэлектроники. Тема 1.3 Методы метрологического контроля и статистического анализа результатов контроля. Тема 1.4 Основы математического моделирования процессов химико-механической планаризации. Тема 1.5 Общие правила подготовки сопроводительной документации и планирования экспериментальных работ. Тема 1.6 Основы безопасной работы на оборудовании и при выполнении операций химико-механической планаризации Тема 1.7 Методы очистки поверхности кремниевых пластин после процесса ХМП. МДК 2Методы исследования новых расходных материалов, применяемых для процессов химико-механической планаризации Тема 2.1 Классификация расходных материалов для процессов ХМП. Тема 2.2 Оценка применимости новых расходных материалов, к процессам ХМП. МДК 3 Методы оценки эффективности оборудования для процессов химико-механической планаризации. Тема 3.1 Классификация современного оборудования для процессов ХМП. Тема 3.2 Оценка эффективности и производительности оборудования для процессов ХМП. Тема 3.3 Системы для доставки и распределения суспензии для оборудования процесса ХМП. Практика в модельной ситуации
Не нашли нужный курс? Вернитесь в главное меню или оставьте заявку на обратный звонок