ПРОГРАММА ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
Методы оценки эффективности оборудования для процессов химико-механической планаризации
Форма обучения: очно, дистанционно
Количество слушателей в группе для дистанционного обучения: 5-12
Количество часов: 36
Категория слушателей
К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее и (или) среднее профессиональное образование.
Курс рекомендован специалистам по разработке производственных технологий в области микро и нано электроники и специалистов в области производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Должность: инженеры-технологи процессов ХМП.
Планируемые результаты обучения
В результате освоения программы слушатель будет:
Знать:
Методы контроля состояния оборудования для проведения процессов химико-механической планаризации;
Методы очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;
Методы статистической обработки результатов измерений, полученных после процесса химико-механической планаризации;
Нормы расходования материалов в технологических процессах химико-механической планаризации;
Перечень и назначение материалов слоя, обрабатываемого в процессе химико-механической планаризации;
Принцип работы и технические характеристики оборудования для процессов химико-механической планаризации;
Принципы контактного взаимодействия в системе «полировальная подушка-суспензия-пластина» для процессов химико-механической планаризации;
Cвойства и характеристики расходных материалов процесса химико-механической планаризации;
Cвойства химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;
Cодержание и назначение базовых технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники;
Требования к оформлению отчетной документации по экспериментальной работе;
Требования к параметрам исходных кремниевых пластин для процесса химико-механической планаризации и их подготовке;
Устройство и принцип работы систем доставки химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;
Устройство и принцип работы систем доставки, подготовки, фильтрации и утилизации суспензии;
Факторы, влияющие на взаимодействие полировальной подушки с кремниевой пластиной;
Физические, кинетические параметры и их влияние на процесс химико-механической планаризации;
Химические реакции процесса химико-механической планаризации слоёв в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники;
Этапы планирования экспериментальной работы и их содержание;
Этапы технологического процесса производства изделий микро- и наноэлектроники.
Уметь:
Рассчитывать потребление материалов для обеспечения технологического процесса химико-механической планаризации;
Cоставлять план экспериментальной работы и отчетную документацию по итогам ее проведения;
Формировать требования к расходным материалам и оборудованию процесса химико-механической планаризации
Не нашли нужный курс? Вернитесь в главное меню или оставьте заявку на обратный звонок