ПРОГРАММА ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Методы оценки эффективности оборудования для процессов химико-механической планаризации

Форма обучения: очно, дистанционно

Количество слушателей в группе для дистанционного обучения: 5-12

Количество часов: 36
Категория слушателей

К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее и (или) среднее профессиональное образование.

Курс рекомендован специалистам по разработке производственных технологий в области микро и нано электроники и специалистов в области производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Должность: инженеры-технологи процессов ХМП.

Планируемые результаты обучения

В результате освоения программы слушатель будет:

Знать:

Методы контроля состояния оборудования для проведения процессов химико-механической планаризации;

Методы очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;

Методы статистической обработки результатов измерений, полученных после процесса химико-механической планаризации;

Нормы расходования материалов в технологических процессах химико-механической планаризации;

Перечень и назначение материалов слоя, обрабатываемого в процессе химико-механической планаризации;

Принцип работы и технические характеристики оборудования для процессов химико-механической планаризации;

Принципы контактного взаимодействия в системе «полировальная подушка-суспензия-пластина» для процессов химико-механической планаризации;

Cвойства и характеристики расходных материалов процесса химико-механической планаризации;

Cвойства химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;

Cодержание и назначение базовых технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники;

Требования к оформлению отчетной документации по экспериментальной работе;

Требования к параметрам исходных кремниевых пластин для процесса химико-механической планаризации и их подготовке;

Устройство и принцип работы систем доставки химических реагентов для очистки поверхности кремниевых пластин после процесса химико-механической планаризации;

Устройство и принцип работы систем доставки, подготовки, фильтрации и утилизации суспензии;

Факторы, влияющие на взаимодействие полировальной подушки с кремниевой пластиной;

Физические, кинетические параметры и их влияние на процесс химико-механической планаризации;

Химические реакции процесса химико-механической планаризации слоёв в маршруте производства изделий микро- и наноэлектроники;

Этапы планирования экспериментальной работы и их содержание;

Этапы технологического процесса производства изделий микро- и наноэлектроники.

Уметь:

Рассчитывать потребление материалов для обеспечения технологического процесса химико-механической планаризации;

Cоставлять план экспериментальной работы и отчетную документацию по итогам ее проведения;

Формировать требования к расходным материалам и оборудованию процесса химико-механической планаризации

Не нашли нужный курс?
Вернитесь в главное меню или оставьте заявку на обратный звонок
Свяжитесь с нами
+7 (495) 229 70 64
neo@niime.ru
ул.Академика Валиева, д.6, стр.1
Made on
Tilda