Категория слушателей

К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее и (или) среднее профессиональное образование.

- общие положения о назначении, целях, возможностях программы и условиях, предоставляемых слушателям для обучения;

Программа ЭУК предназначена для четырех целевых групп: 1. Специалисты процессов жидкостной химической обработки при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем; 2. Специалисты процессов химико-механической полировки при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем; 3. Специалисты по эксплуатации инженерных систем производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем; 4. Специалисты процессов фотолитографии при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Трудоемкость программы – 50 академических часа

Форма обучения: заочная с использованием электронных и дистанционных образовательных технологий.

Цель реализации программы:

Электронно-учебный курс предназначен для специалистов процессов жидкостной химической обработки при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем, специалистов процессов химико-механической полировки при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем, специалистов по эксплуатации инженерных систем производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем и специалистов процессов фотолитографии при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Планируемые результаты обучения

В результате освоения программы слушатель будет:

Знать:

-Технику безопасности и требования охраны труда при проведении ЖХО;

-Процессы ЖХО в маршруте изготовления ИМС;

-Источники и природу загрязнения кремниевых пластин;

-Методы подготовки поверхности кремниевых пластин;

-Стратегии проведения жидкостных очисток пластин и удаления загрязнений;

-Процессы жидкостного травления кремниевых пластин;

-Правила удаления полимерных остатков;

-Перечень коррозионных циклов;

-Способы удаление микрочастиц и процессы очистки без использования химических реактивов;

-Требования к жидкостным химическим реактивам при производстве ИМС с субмикронными проектными нормами;

-Виды и назначение контрольно-измерительной аппаратуры для контроля качества поверхности кремниевых пластин для жидкостных химических процессов;

-Виды и назначение технологического оборудования для проведения процессов жидкостной химической обработки пластин в технологии микро- и наноэлектроники;

-Основы технологии химико-механической планаризации;

-Виды и назначение технологического оборудования для процессов ХМП;

-Методы отмывки после процесса ХМП;

-Системы доставки суспензии;

-Основные технологические среды;

-Влияния параметров ТС на технологию и приборы;

-Общие сведения о физических принципах создания ТС;

-Основные методы создания ТС;

-Основные тенденции развития направления технологий для параметров ТС;

-Способы доставки ТС к производственному оборудованию;

-Основные технологические операции процесса фотолитографии;

-Виды и назначение технологического оборудования для процессов фотолитографии;

Уметь:

-Выстраивать стратегии проведения жидкостных очисток пластин и удаления загрязнений;

-Контролировать качество процессов жидкостного травления кремниевых пластин;

-Осуществлять визуальный контроль процессов жидкостного травления и поверхностей пластин;

-Выбирать материалы для ХМП в современных маршрутах изготовления ИС;

-Выставлять параметры ТС в соответствии с динамикой изменения требований;

-Производить контроль качества технологических сред;

-Выбирать оборудование для экспонирования ФРМ;

-Выбирать оборудование для нанесения и проявления ФРМ.