Категория слушателей

К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее и (или) среднее профессиональное образование.

Обучающиеся до начала по программе должны знать:

- содержание и назначение базовых технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники;

- назначение процесса фотолитографии в технологии производства ИС;

- влияние смежных технологических процессов на процесс фотолитографии;

- свойства химических материалов фотолитографии.

Должность: Специалисты процессов фотолитографии при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем

Цель реализации программы

Целью реализации программы является обучение слушателей разрабатывать технологические процессы и процедуры контроля фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем; процедуры и технологические маршруты для аттестации технологических процессов фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем; план работ по апробации новых материалов фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Планируемые результаты обучения

В результате освоения программы слушатель будет:

Знать:

v цели и способы использования различных типов материалов для процессов ФЛ;

v требования:

документации (технологических маршрутов) на контролируемые параметры технологического процесса;

к поверхности пластин при использовании новых материалов;

v технологические:

процессы и процедуры контроля фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем;

возможности современного (ArF, KrF) оборудования фотолитографии;

параметры процессов фотолитографии и их значение для интеграции процесса фотолитографии в технологический маршрут;

v явления дифракции при формировании изображения проекционным оборудованием;

v ограничения, накладываемые на получение элементов с минимальными размерами;

v профили маски и профиль травления на разрабатываемый процесс;

v методы:

улучшения разрешающей способности RET (OPC, PSM, OAI);

получения и обработки экспериментальных данных для построения процессного окна технологического процесса;

выполнения математического моделирования процессов фотолитографии с использованием специализированного ПО;

применяемые для оценки соответствия технологического процесса фотолитографии требованиям документации;

v типы и назначение материалов к технологическому процессу фотолитографии;

v основные этапы разработки технологического процесса фотолитографии;

v этапы процесса фотолитографии;

v подходы к моделированию формирования ФР маски в вычислительной литографии;

v принцип подбора оптимальных толщин слоев литографического стека;

v расчёт контура ФРМ для полноразмерной топологии изделия с использованием «компактных» моделей;

v этапы «полного» моделирования формирования фоторезистивной маски на основе физико-химических принципов;

v методы и типы метрологического оборудования, применяемые для контроля параметров операций фотолитографии;

v процедуры контроля технологических процессов фотолитографии;

v контролируемые параметры ФР маски;

v типы контрольных карт, используемых для контроля продукции;

v конструкцию установок:

экспонирования проекционного типа, «step and scan», «step and repeat»;

нанесения/проявления. Последовательность обработки пластин в модулях установки;

v контролируемые параметры нанесения плёнок ФР и АОП;

v принципы организации аттестации технологический процессов фотолитографии;

v назначение технологических процессов фотолитографии;

v материалы процессов фотолитографии, используемые в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем, и их свойства;

v способы достижения увеличения производительности установок нанесения и проявления ФРМ;

v требуемую чистоту материалов для установленного уровня технологии;

v параметры процесса, влияющие на диапазон толщины нанесения фоторезистов и антиотражающих покрытий;

v принципы совместимости материалов фотолитографии и размещение материалов в оборудовании фотолитографии;

v структуру пластины на технологических операциях фрагмента технологического маршрута «осаждение слоя металла-ФЛ-травление»;

v этапы проведения анализа технологической оснащенности производства;

v критерии, предъявляемые к ФРМ со стороны смежных технологических участков;

v возможности метрологического оборудования для проведения тестов.

Уметь:

v выбирать требуемые материалы для операций процесса фотолитографии в соответствии с ТЗ на разработку процесса;

v оценивать целесообразность применения методов улучшения разрешающей способности (RET) для разрабатываемого процесса;

v составлять план работ по разработке технологического процесса фотолитографии;

v проводить:

математическое моделирование, экспериментальное исследование процессного окна разрабатываемого процесса;

анализ технической оснащённости производства и составлять соответствующий ей план работ;

v анализировать полученную экспериментально и с помощью математического моделирования информацию, готовить технический отчёт по разработке технологического процесса;

v осуществлять контроль параметров процессов фотолитографии измерениями линейных размеров, совмещения и внешнего вида;

v разрабатывать планы контроля продукции, фотолитографического оборудования;

v устанавливать контролируемые параметры для аттестации материалов различных типов;

v разрабатывать графики выполнения аттестаций технологический процессов;

v подбирать материалы для процессов ФЛ в соответствии с требованиями ТЗ;

v определять перечень необходимых тестов для проверки свойств нового материала на соответствие ТЗ.

Иметь навыки:

v разработки:

технологических процессов фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем с проектными нормами 180-90 нм на пластинах диаметром 200 мм;

процедур контроля технологических параметров процессов фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем с проектными нормами 180-90 нм на пластинах диаметром 200 мм;

процедур и технологических маршрутов для аттестации технологических процессов ФЛ в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем с проектными нормами 180-90 нм на пластинах диаметром 200 мм;

плана работ по апробации новых материалов для процессов фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем с проектными нормами 180-90 нм на пластинах диаметром 200 мм;

Содержание программы

МДК 1 Разработка технологических процессов и процедур контроля фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Тема 1.1 Физические основы дифракционной теории формирования изображений проекционным оборудованием.
Тема 1.2 Пути повышения разрешающей способности проекционного оборудования.
Тема 1.3 Технологические возможности современных типов оборудования фотолитографии.
Тема 1.4 Типы фоторезистов для производства изделий микроэлектроники. Тема 1.5 Антиотражающие покрытия и многослойные фоторезистивные маски. Тема 1.6 Задачи, решаемые при разработке новых процессов фотолитографии. Тема 1.7 Методы экспериментального исследования процессов фотолитографии.
Тема 1.8 Методы математического моделирования процессов фотолитографии. Тема 1.9 Интеграция процессов фотолитографии в технологический маршрут. Тема 1.10 Методы и типы метрологического оборудования, применяемые для контроля параметров операций фотолитографии.
МДК 2 Разработка процедур и технологических маршрутов для аттестации технологических процессов фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Тема 2.1 Особенности устройства оборудования фотолитографии важные с точки зрения его аттестации.
Тема 2.2 Основные методы технологической аттестации процессов и оборудования фотолитографии.
Тема 2.3 Основные методы технологической аттестации материалов фотолитографии.
МДК 3 Апробация новых материалов фотолитографии в производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Тема 3.1 Критерии выбора соответствующих типов материалов фотолитографии для проведения их апробации
Тема 3.2 Особенности проведения работ по апробации новых материалов фотолитографии в условиях действующего производства.
Тема 3.3 Аспекты аттестации новых материалов фотолитографии, касающиеся применения фоторезистивной маски смежными участками. Практика