Требования к образованию
К освоению программы допускаются лица, имеющие или получающие высшее (бакалавриат, магистратура) и (или) среднее профессиональное образование.

Категория слушателей
Программа предназначена для специалистов в области производства изделий наноэлектроники с применением новейших материалов и высокотехнологичного оборудования.

Содержание программы
Модуль 1. Процессы жидкостной химической обработки кремниевых пластин в технологии производства ИС с субмикронными проектными нормами на пластинах диаметром 200 мм.
Модуль 2. Ключевые процессы изготовления полупроводниковых структур: формирование фоторезистивной маски и химико-механическая полировка поверхности пластин.
Модуль 3. Эксплуатация инженерных систем производства наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Модуль 4. Разработка процессов фотолитографии при производстве наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Планируемые результаты обучения
В результате освоения программы слушатель будет:
Знать

• Технику безопасности и требования охраны труда при проведении ЖХО;
• Процессы ЖХО в маршруте изготовления ИМС;
• Источники и природу загрязнения кремниевых пластин;
• Методы подготовки поверхности кремниевых пластин;
• Стратегии проведения жидкостных очисток пластин и удаления загрязнений;
• Процессы жидкостного травления кремниевых пластин;
• Правила удаления полимерных остатков;
• Перечень коррозионных циклов;
• Способы удаление микрочастиц и процессы очистки без использования химических реактивов;
• Требования к жидкостным химическим реактивам при производстве ИМС с субмикронными проектными нормами;
• Виды и назначение контрольно-измерительной аппаратуры для контроля качества поверхности кремниевых пластин для жидкостных химических процессов;
• Виды и назначение технологического оборудования для проведения процессов жидкостной химической обработки пластин в технологии микро- и наноэлектроники;
• Основы технологии химико-механической планаризации;
• Виды и назначение технологического оборудования для процессов ХМП;
• Методы отмывки после процесса ХМП;
• Системы доставки суспензии;
• Основные технологические среды;
• Влияния параметров ТС на технологию и приборы;
• Общие сведения о физических принципах создания ТС;
• Основные методы создания ТС;
• Основные тенденции развития направления технологий для параметров ТС;
• Способы доставки ТС к производственному оборудованию;
• Основные технологические операции процесса фотолитографии;
• Виды и назначение технологического оборудования для процессов фотолитографии.

Уметь:

• Выстраивать стратегии проведения жидкостных очисток пластин и удаления загрязнений;
• Контролировать качество процессов жидкостного травления кремниевых пластин;
• Осуществлять визуальный контроль процессов жидкостного травления и поверхностей пластин;
• Выбирать материалы для ХМП в современных маршрутах изготовления ИС;
• Выставлять параметры ТС в соответствии с динамикой изменения требований;
• Производить контроль качества технологических сред;
• Выбирать оборудование для экспонирования ФРМ;
• Выбирать оборудование для нанесения и проявления ФРМ.

Документ об обучении
Диплом о профессиональной переподготовке/Сертификат внутреннего образца

Стоимость обучения